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儀器介紹
比起反射法來(lái)說(shuō)，橢圓偏光儀的Psi和Del這兩個(gè)參數(shù)，提供了更多的信息。因此，通過(guò)橢圓偏光技術(shù)，更多的信息可以被容易的獲取，例如，多層薄膜分析、介電常熟的計(jì)算、表面或界面的粗糙度、不均勻性分析等。
Angstrom sun SE系列橢偏膜厚測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于：
1對(duì)于薄膜、涂層、大基底的光學(xué)常數(shù)（折射率n和消光系數(shù)k）
2 對(duì)于薄膜的非破壞性準(zhǔn)確厚度測(cè)量。
3對(duì)于各種薄膜中合金濃度的測(cè)定，例如SiGe合金中Ge的測(cè)定、AlGaN膜中Al的測(cè)定。
4對(duì)于GaN、SiC、AlN、AlGaN等，它們帶隙的測(cè)定。
5在低介電常數(shù)下測(cè)定薄膜的孔隙率。
6測(cè)定納米復(fù)合材料中所含每種成分的體積比含量。
7可以測(cè)定多層堆疊或者像量子阱結(jié)構(gòu)的周期性結(jié)構(gòu)中的每一層的物理厚度和光學(xué)特性。
8對(duì)薄膜在密度或合金的濃度上的不均勻性進(jìn)行分析
8分析高介電常數(shù)薄膜的光學(xué)特性
9金屬薄膜、金屬化合物(例如WN、TiN、TaN等)、 摻雜半導(dǎo)體epi層（同時(shí)也決定了厚度）及其他的諸如ITO薄膜等復(fù)合氧化物的電導(dǎo)率進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)。
10摻雜半導(dǎo)體摻雜濃度的無(wú)損檢測(cè)
技術(shù)參數(shù)
?波長(zhǎng)范圍：250nm~ 1000nm
?波長(zhǎng)分辨率：1nm
?光斑尺寸：1~ 5mm
?入射角范圍：10~ 90度
?入射角分辨率：0.01度
?數(shù)字圖像：130萬(wàn)像素
?有效放大倍率：x 1200
?物鏡的長(zhǎng)工作距離：12mm
?中型光束尺寸：2 - 500?
?樣品尺寸： 直徑300mm
?基板尺寸：最厚20mm
?可測(cè)量厚度范圍：1? ~10?
?測(cè)量時(shí)間：?1s/Site
?精度：優(yōu)于0.25％
?重復(fù)性：<1 ?
