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橢偏儀(SE)

橢偏儀(SE)

型號︰SE200BA-MSP

品牌︰AST

原產(chǎn)地︰美國

單價︰-

最少訂量︰-

現(xiàn)在查詢

產(chǎn)品描述

聯(lián)繫人:劉先生
電  話:86-10-58237160
E-mail:liusp@beijingec.com

儀器介紹
比起反射法來說,橢圓偏光儀的Psi和Del這兩個參數(shù),提供了更多的信息。因此,通過橢圓偏光技術(shù),更多的信息可以被容易的獲取,例如,多層薄膜分析、介電常熟的計算、表面或界面的粗糙度、不均勻性分析等。
 Angstrom sun SE系列橢偏膜厚測試儀廣氾應(yīng)用於:
1對於薄膜、塗層、大基底的光學(xué)常數(shù)(折射率n和消光係數(shù)k)
2 對於薄膜的非破壞性準(zhǔn)確厚度測量。
3對於各種薄膜中合金濃度的測定,例如SiGe合金中Ge的測定、AlGaN膜中Al的測定。
4對於GaN、SiC、AlN、AlGaN等,它們帶隙的測定。
5在低介電常數(shù)下測定薄膜的孔隙率。
6測定納米復(fù)合材料中所含每種成分的體積比含量。
7可以測定多層堆疊或者像量子阱結(jié)構(gòu)的週期性結(jié)構(gòu)中的每一層的物理厚度和光學(xué)特性。
8對薄膜在密度或合金的濃度上的不均勻性進(jìn)行分析
8分析高介電常數(shù)薄膜的光學(xué)特性
9金屬薄膜、金屬化合物(例如WN、TiN、TaN等)、 摻雜半導(dǎo)體epi層(同時也決定了厚度)及其他的諸如ITO薄膜等復(fù)合氧化物的電導(dǎo)率進(jìn)行無損檢測。
10摻雜半導(dǎo)體摻雜濃度的無損檢測

 

  • 主要特點

技術(shù)參數(shù)
?波長範(fàn)圍:250nm~ 1000nm
?波長分辨率:1nm
?光斑尺寸:1~ 5mm
?入射角範(fàn)圍:10~ 90度
?入射角分辨率:0.01度
?數(shù)字圖像:130萬像素
?有效放大倍率:x 1200
?物鏡的長工作距離:12mm
?中型光束尺寸:2 - 500?
?樣品尺寸: 直徑300mm
?基板尺寸:最厚20mm
?可測量厚度範(fàn)圍:1? ~10?
?測量時間:?1s/Site
?精度:優(yōu)于0.25%
?重複性:<1 ?

 


 

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